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深圳市明佳达电子有限公司
型号

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产品分类

集成电路（IC）

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物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

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分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

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存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /存储器/同步动态随机存取内存SDRAM
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：H5ANAG6NCJR-XNC

商品名称：SDRAM‌

品牌：SK hynix

年份：25+

封装：FCBGA-96

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
SK hynix
型号
H5ANAG6NCJR-XNC
封装
FCBGA-96
描述
专为高带宽应用设计的16Gb DDR4 SDRAM存储器

产品描述

H5ANAG6NCJR-XNC 是由（SK Hynix）制造的 DDR4 DRAM 内存，工作温度为 0 至 85°C 。它具有 16Gb 的内存容量，组织为 1Gx16，采用符合 RoHS 标准的 BGA-96 球封装。数据速率指定为 3200 MT/s，最大时钟速度为 1600 MHz。


性能参数

存储容量：16Gb

架构：1x16

速率：3200Mbps

‌工作电压‌：1.2V

‌工作温度范围‌：0°C至85°C‌

‌电源电压‌：1.2V‌

封装类型‌：FCBGA


应用场景

H5ANAG6NCJR-XNC适用于需要高密度内存和大带宽的应用场景，如服务器和数据中心等。其内部数据路径采用流水线设计，支持8位预取，能够实现非常高的带宽‌。


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SK hynix

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SK海力士前身为1983年成立的现代电子产业株式会社，2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社。SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全…

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