IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP™5 IGBT 技术的绝缘栅双极晶体管(IGBT),在硬开关应用中提供无与伦比的高效性能。具有以下优势和技术规格:
产品优势
具有出色的效率,降低结温和外壳温度,从而提高设备可靠性
母线电压可提升50V,同时不影响可靠性
更高的功率密度设计
技术规格
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:395 W
开关能量:2.25mJ(导通),950µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:160 nC
25°C 时 Td(开/关)值:28ns/174ns
测试条件:400V,75A,8 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
应用领域
IGW75N65H5适用于各种需要高效、低损耗的电力电子设备,特别是在家用电器、工业控制、汽车电子等领域有广泛应用。
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