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产品分类

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AI 加速器

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商品型号:RBA300N10EHPF-5UA02

商品名称:功率 MOSFET 晶体管

品牌:Renesas

年份:25+

封装:TO-263-7

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
Renesas
型号
RBA300N10EHPF-5UA02
封装
TO-263-7
描述
100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

产品描述

RBA300N10EHPF-5UA02 采用超紧凑无引线设计,可提高散热性能和可靠性。Wettable Flank 解决方案提高了可靠性并简化了装配。RBA300N10EHPF-5UA02 的新型分裂栅技术适用于要求低 RDS(on) 和开关能力的大功率、高频率应用。


RBA300N10EHPF-5UA02 的特性

标准电平栅极驱动电压: VGS(th) = 2.0V 至 4.0V

超低导通电阻: RDS(on) = 1.5mΩ max

低输入电容

低热阻

通过 AEC-Q101 认证

通过 PPAP 认证

无铅电镀 符合 RoHS 规范

符合 IPC/JEDEC J-STD-020 的 MSL1 级标准


RBA300N10EHPF-5UA02 的应用

48V BLDC 电机位置控制

用于 2/3 轮牵引电机控制的低压变频器

48V 移动平台

用于 12V/48V EV/HEV 系统的双向 DC/DC 转换器

三合一电动汽车装置

汽车:小型牵引(两轮、三轮车)、48V 负载、OBC、充电站、LDC 等

工业/基础设施:能源基础设施、微型逆变器、电源工具、DC-DC 等。


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型号

品牌

封装

数量

描述

RBA300N10EANS-3UA02

Renesas

TO-263-7

2000

100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

BSC020N03MSG

INFINEON

PG-TDSON-8

5000

OptiMOS™ 3M 系列功率 MOSFET,30V

IPL65R165CFD

INFINEON

PG-VSON-4

7500

表面贴装型 N 通道 650 V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4

IPW65R110CFD

INFINEON

PG-TO247-3

24000

通孔 N 通道 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3-41

STW58N60DM2AG

ST

TO-247-3

15000

汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装

IPG20N04S4L-11

INFINEON

PG-TDSON-8

35000

40V,双 N-Ch,最大 11.6 mΩ,汽车 MOSFET,双 SS08 (5x6),OptiMOS™-T2

IPZ40N04S5L-2R8

INFINEON

TSDSON-8

20000

汽车 MOSFET,S3O8,OptiMOS™-5 功率晶体管

IPC100N04S5L-1R5

INFINEON

PG-TDSON-8

25000

40V,N-Ch,最大 1.5 mΩ,汽车 MOSFET,SS08 (5x6),OptiMOS™-5

BSC500N20NS3G

INFINEON

PG-TDSON-8

10000

OptiMOS™ 3 功率晶体管,200 V

IXFX230N20T

IXYS

TO-247-3

5000

通孔 N 通道 200 V 230A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247™-3

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Renesas

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