CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速静态 RAM,按 16 位组织为 1,048,576 字。该器件具有快速存取时间(10 ns)和独特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式电流低至 45 µA,在行业标准封装选项中结合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。该器件还具有嵌入式 ECC 功能。ECC 逻辑可检测并纠正访问位置中的单位错误。CY7S1061GE30-10ZXI 器件包含一个ERR 引脚,可在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。
CY7S1061GE30-10ZXI 的特点
高速
tAA = 10 ns
超低功耗 PowerSnooze™ 器件
深度睡眠 (DS) 电流 IDS = 45 µA 最大值
低活动和待机电流
ICC = 90-mA 典型值
ISB2 = 20-mA 典型值
宽工作电压范围: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和 4.5 V 至 5.5 V
嵌入式纠错码 (ECC),用于单位纠错
1.0 V 数据保持
晶体管晶体管逻辑 (TTL) 兼容输入和输出
错误指示 (ERR) 引脚,用于指示 1 位错误检测和纠正
提供无铅和锡/铅 48 球 VFBGA 封装
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET,属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻、高电流能力和出色的热性能,适用于汽车级应用。IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飞凌生产的 55V N 沟道功率 MOSFET,属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻和高电流能力,适用于汽车级应用,符合 AEC-Q101 标准。ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ 6 系列,采用 PG-TDSON-8 FL 封装。IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ T2 系列,采用 TDSON-8(PG-TDSON-8)封装。IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封装。电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: