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BSC0901NSI一款N通道功率MOSFET，属于OptiMOS™系列，专为高性能降压转换器优化。该产品超低栅极电荷和输出电荷，以及采用小尺寸封装的最低导通电阻，使 OptiMOS™ 25V 成为满足服务器、数据通信和电信应用对稳压器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品通过改善 EMI 性能和延长电池寿命，满足了笔记本电脑电源管理的需求。

BSC0901NSI产品属性：

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

配置: Single

下降时间: 4.6 ns

正向跨导 - 最小值: 65 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 7.2 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

潜在应用

板载充电器

笔记本电脑

主板

直流-直流

VRD/VRM

电机控制

发光二极管

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