IPB042N10N3G 是一款 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET,可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。
产品规格:
产品:IPB042N10N3G
技术 :Si
安装风格 :SMD/SMT
封装 / 箱体 :D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性 :N-Channel
通道数量 :1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 :100 V
Id-连续漏极电流 :100 A
Rds On-漏源导通电阻 :4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 :- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压 :2 V
Qg-栅极电荷 :88 nC
工作温度 :- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散 :214 W
通道模式 :Enhancement
配置 :Single
下降时间 :14 ns
正向跨导 - 最小值 :73 S
高度 :4.4 mm
长度 :10 mm
产品类型 :MOSFETs
上升时间 :59 ns
系列 :OptiMOS 3
晶体管类型 :1 N-Channel
典型关闭延迟时间 :48 ns
典型接通延迟时间 :27 ns
型号
品牌
封装
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描述
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