IPDD60R050G7是英飞凌现创新推出双 DPAK (D-DPAK),这是首款顶部冷却 SMD 封装,主要面向大功率 SMPS 应用,如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。
特性
提供一流的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
创新的顶部散热理念;
内置第 4 引脚开尔文源配置和低寄生源电感;
超过 2000 周期的 TCOB 能力,符合 MSL1 标准,完全无铅等
IPDD60R050G7产品属性:
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HDSOP-10
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 68 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
上升时间: 6 ns
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装,具有极低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装,具有极低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装,具有业界领先的 RDS(on)
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