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BSC026N08NS5 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该器件还可用于太阳能、低压驱动和适配器等其他工业应用。OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，具有业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。

BSC026N08NS5 特征

针对同步整流进行优化

非常适合高开关频率

输出电容降低高达 44% 

RDS(on) 降低高达 43%

BSC026N08NS5 规格

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 80 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：23A（Ta），100A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 @ 50A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） ：3.8V @ 115µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），156W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PG-TDSON-8-6  

封装/外壳： 8-PowerTDFN 

BSC026N08NS5潜在应用

通信

服务器

太阳能

低压驱动器

轻型电动车

适配器

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