商品名称：SCTH40N120G2V-7
数据手册：
SCTH40N120G2V-7.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：H2PAK-7
货期：全新原装
库存数量：3000 件
SCTH40N120G2V-7 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET采用H2PAK-7封装，具有100mΩ（典型值）和 36A（额定值）特性。该器件还具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。应用包括开关模式电源、直流/直流转换器和工业电机控制。
产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 欧姆 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：61 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1233 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：238W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：H2PAK-7
基本产品编号：SCTH40
型号
品牌
封装
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描述
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