商品名称:SCT3040KLGC11
数据手册:SCT3040KLGC11.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封装:TO-247-3
货期:全新原装
库存数量:3000 件
分立半导体产品 SCT3040KLGC11 单个FETs MOSFETs 晶体管
产品介绍
SCT3040KLGC11是N沟道SiC功率MOSFET晶体管,1200V 55A (Tc) 262W (Tc) 通孔TO-247N。
产品属性
晶体管极性: N-沟道
通道数: 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:1.2 kV
Id - 连续漏极电流:55 A
Rds On - 漏极-源极电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极源电压:- 4 V,+ 22 V
Vgs th - 栅极源阈值电压:2.7 V
Qg - 栅极电荷: 107 nC
最低工作温度:- 55 C
最高工作温度: + 175 C
Pd - 功率耗散:262 W
通道模式: 增强型
配置: 单一
下降时间:24 ns
正向电导率 - 最小: 8.3 S
应用范围
太阳能逆变器
直流/直流转换器
开关模式电源
感应加热
电机驱动
型号
品牌
封装
数量
描述
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13场截止沟道IGBT具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗和短路耐受时间(5μs)的特点。 该IGBT可确保在高压力条件下可靠运行。内置的快速软恢复FRD提高了效率,而无铅电镀则确保符合RoHS规范。技术规格RGE60TS65DGC13的主要规格包括:IGBT 类型:沟槽型场…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管。SCT4062KWATL 的特性低电阻快速切换速度快速逆向恢复易于并行易于驾驶无铅铅铅电镀;符合 RoHS 标准宽爬行距离 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的应用太阳能逆变器直流 / 直流变换器开关模式电源感应加热电机驱动SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管。SCT4045DWATL 的特性低电阻快速切换速度快速逆向恢复易于并行易于驾驶无铅铅铅电镀;符合 RoHS 标准宽爬行距离 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的应用太阳能逆变器直流 / 直流变换器开关模式电源感应加热电机驱动SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽车 N 通道 SiC 电源 MOSFET 晶体管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 标准低电阻快速切换速度快速逆向恢复易于并行易于驾驶无铅铅铅电镀;符合 RoHS 标准宽爬行距离 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的应用汽车开关模式电源SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管。SCT4026DWATL 的特性低电阻快速切换速度快速逆向恢复易于并行易于驾驶无铅铅铅电镀;符合 RoHS 标准宽爬行距离 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的应用太阳能逆变器直流 / 直流变换器开关模式电源感应加热电机驱动SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶体管。SCT2H12NZGC11 的特性低电阻快速切换速度长爬行距离易于驾驶无铅铅铅电镀;符合 RoHS 标准SCT2H12NZGC11 的应用辅助电源开关模式电源电话咨询:86-755-83294757
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