商品名称:SCT4062KRC15
数据手册:SCT4062KRC15.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封装:TO-247-4L
货期:全新原装
库存数量:1000 件
SCT4062KRC15是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式,可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。
规格
制造商:ROHM Semiconductor
产品种类:MOSFET
技术:SiC
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-4L
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:26 A
Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V
Qg-栅极电荷:64 nC
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:115 W
通道模式:Enhancement
下降时间:10 ns
正向跨导 - 最小值:8.3 S
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量: 450
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:4.4 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
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RGS30TSX2DGC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和…电话咨询:86-755-83294757
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