商品名称:NTMFS4C09NT1G
数据手册:NTMFS4C09N.PDF
品牌:ON
年份:21+
封装:DFN-5
货期:全新原装
库存数量:9000 件
NTMFS4C09N 功率 MOSFET 30 V、52 A、单 N-沟道、SO-8 FL
参数
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 760mW(Ta),25.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线
应用
• CPU 供电
• DC-DC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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