商品名称：STGWA20H65DFB2
数据手册：
STGWA20H65DFB2.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：3000 件
STGWA20H65DFB2 采用TO-247长引线封装的沟槽栅极场截止650V、20A高速HB2系列IGBT。
描述
最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的演变。由于在低电流值时有更好的VCE(sat)行为，HB2系列的性能在导通方面得到了优化，同时也降低了开关能量。一个非常快的软恢复二极管与IGBT反并联包装。其结果是一个专门为广泛的快速应用而设计的效率最大化的产品。
所有功能
最大结点温度：TJ = 175 °C
低VCE(sat) = 1.65 V（典型值） @ IC = 20 A
非常快速和软恢复的共封装二极管
最小化的尾部电流
严格的参数分布
低热阻
正的VCE(sat)温度系数
应用
汽车变流器
图腾柱式功率因数校正
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
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L99PCU2F一款多通道智能功率驱动器，专为汽车电子应用设计。电话咨询：86-755-83294757
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