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NTMFS4C09N: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Ta），52A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.73 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1252 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：2.51W（Ta），25.5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

应用

CPU 供电

DC-DC 转换器

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。