商品名称:NTTFD4D0N04HLTWG
数据手册:NTTFD4D0N04HLTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:WQFN-12
货期:全新原装
库存数量:1100 件
NTTFD4D0N04HLTWG N沟道MOSFET是powertrench®电源夹对称双通道MOSFET,采用wqfn12封装 这些器件包括两个专用n沟道MOSFET,采用双封装。这些器件的开关节点内部连接,能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制mosfet (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 设计用于提供最佳功率效率。NTTFD4D0N04HLTWG N沟道MOSFET具有低RDS(on)、低QG和电容以及低导通/驱动器损耗。
特征
Q1: N-沟道
• 在VGS=10 V、ID=10 A时,最大rDS(on)=4.5 m
• 在VGS=4.5、ID=8.0 A时,最大rDS(on)=7 m
Q2: N-通道
• 最大rDS(on) = 4.5 m,VGS = 10 V,ID = 10 A
• 最大rDS(on) = 7 m,VGS = 4.5,ID = 8.0 A时
• 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
• 符合RoHS标准
典型应用
• 计算机
• 通讯
• 通用负载点
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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