IMBG65R030M1HXTMA1 - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

首页 /分立半导体/N 沟道 MOSFET

图片仅供参考，请参阅产品规格

< >

商品型号：IMBG65R030M1HXTMA1

商品名称：IMBG65R030M1HXTMA1

数据手册：IMBG65R030M1HXTMA1.pdf

品牌：INFINEON

年份：23+

封装：TO-263-8

货期：全新原装

库存数量：5000 件

数量:

询价

在线询价

联系人：

联系邮箱：

联系电话：

公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

IMBG65R030M1HXTMA1

封装

TO-263-8

描述

N-通道650V 63A（Tc） 234W（Tc）表面贴装型

产品描述

IMBG65R030M1HXTMA1是CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET，采用基于碳化硅沟槽技术的紧凑型7引脚SMD封装，用于高功率应用。

IMBG65R030M1HXTMA1的产品属性

晶体管类型： N-沟道

技术： SiCFET (碳化硅)

漏极至源极电压（Vdss）： 650 V

电流 - 连续漏极（Id） @ 25°C： 63A (Tc)

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 42mOhm @ 29.5A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 8.8mA

栅极电荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 49 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds： 1643 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 234W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型：表面贴装

供应商器件封装： PG-TO263-7-12

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7引线+焊片），TO-263CA

IMBG65R030M1HXTMA1的特点

连续硬换向拓扑结构

适用于高温和恶劣的工作环境

实现了双向的拓扑结构

用于优化开关性能的感测引脚

N沟道IMBG65R030M1HXTMA1 MOSFET晶体管 TO-263-8 集成电路芯片

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
2.公司商品都是原装正品吗？

答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
4.我可以通过公司网站进行询价吗？

答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
5.下单后什么时候能发货？多久能到？

答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
6.公司能开发票吗？

答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。