L6385是一个高压器件，采用BCD "OFF-LINE "技术制造。它有一个驱动结构，能够驱动独立参考的N通道功率MOS或IGBT。上部（浮动）部分能够在高达600V的电压轨上工作。逻辑输入是CMOS/TTL兼容的，便于与控制设备连接。
规格参数
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 17V（最大）
逻辑电压 - VIL，VIH 1.5V，3.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 400mA，650mA
输入类型 反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 600 V
上升/下降时间（典型值） 50ns，30ns
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
型号
品牌
封装
数量
描述
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