L6385是一个高压器件,采用BCD "OFF-LINE "技术制造。它有一个驱动结构,能够驱动独立参考的N通道功率MOS或IGBT。上部(浮动)部分能够在高达600V的电压轨上工作。逻辑输入是CMOS/TTL兼容的,便于与控制设备连接。
规格参数
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 17V(最大)
逻辑电压 - VIL,VIH 1.5V,3.6V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 400mA,650mA
输入类型 反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 600 V
上升/下降时间(典型值) 50ns,30ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
型号
品牌
封装
数量
描述
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HFA80A-F2Y
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概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用144引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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