NCP51313ADR2G栅极驱动器是高性能130V高侧驱动器,设计用于DC-DC电源和逆变器。NCP51313具有稳健的2A拉电流和3A灌电流驱动能力。该器件可在高频下出色地提供高效功率。NCP51313具有同类最佳的各项特性,包括低静态电流和低开关电流,可确保最佳性能。
产品属性
驱动配置:高端
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:8V ~ 19V
逻辑电压 - VIL,VIH:1.3V, 1V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,3A
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):110 V
上升/下降时间(典型值):11ns,10ns
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
型号
品牌
封装
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描述
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AFGHL40T120RWD-STD
AFGHL40T120RWD-STD 采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247 3 引线封装,具有良好的性能,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特点 采用场截止技术的极高效沟道 最大结温 - TJ =175C 额定短路电压和低AFGHL40T120RW-STD
AFGHL40T120RW-STD车规级IGBT符合AEC-Q101标准,采用坚固的场终止型VII沟槽结构。AFGH4L40T120RW-STD
AFGH4L40T120RW-STD 符合 AEC Q101 标准的绝缘栅双极晶体管 (IGBT),采用坚固耐用、高性价比的场截止 VII 沟道结构。AFGH4L40T120RWD-STD
安森美AFGH4L40T120RWD-STD采用新颖的现场停止第 7 代 IGBT 技术和第 7 代二极管,采用 TO247-4 引线封装,性能优异,导通电压低,开关损耗小,适用于汽车应用中的硬开关和软开关拓扑结构。特性 采用场截止技术的极高效沟道 最高结温 - TJ =175C 额定短路电压和低PCFFS50120AF
PCFFS50120AF 碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,开关性能更优越,可靠性更高。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为新一代功率半导体。系统优势包括效率最高、工作频率更快、功率密度更高、电磁干扰更小、系统尺寸和成本更低…NTH4L018N075SC1
安森美 NTH4L018N075SC1 EliteSiC MOSFET 采用全新技术,与硅器件相比,开关性能更优越,可靠性更高。电话咨询:86-755-83294757
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