6ED2230S12C 是 1200V 三相栅极驱动器,具有 0.35 A 源电流和 0.65 A 灌电流,采用晶圆薄膜封装。
特点
1200-V 薄膜-SOI 技术
集成超快自举二极管
可承受 -Vs 100V 瞬态峰值
源/漏电流 0.35 A/0.65 A
过流保护(+/- 5)
集成死区时间保护
击穿保护
VCC 和 VBS 独立 UVLO
同一引脚上的故障和使能
通道传播延迟匹配
3.3 V、5 V、15 V 输入逻辑
优点
集成 BS 二极管,节省成本
100 V -VS,提高了可靠性
电平转换功率损耗降低 50
集成保护功能,节省成本
低电源电压下的 UVLO 保护
应用
商用热泵
暖通空调 (HVAC)
工业自动化
工业电机驱动和控制
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…CY62157G18-55BVXA
CY62157G18-55BVXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G18-55BVXI
CY62157G18-55BVXI是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45BVXI
CY62157G30-45BVXI 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…CY62157G30-45ZSX
CY62157G30-45ZSX 是一款8Mb、高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用44-TSOP封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量…CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容量:8Mb存储器组织:512K…电话咨询:86-755-83294757
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