GS-065-008-6-L-MR是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管,具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。
GS-065-008-6-L-MR采用底部冷却 PDFN 封装,结壳热阻极低,非常适合要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起,确保了极高的功率开关效率。
型号: GS-065-008-6-L-MR
制造商: Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PDFN-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 8.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 235 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
Qg-栅极电荷: 1.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 8 ns
最大工作频率: > 1 MHz
最小工作频率: 0 Hz
aN F上升时间: 4.8 ns
技术: GaN-on-Si
典型关闭延迟时间: 6 ns
典型接通延迟时间: 2.4 ns
应用领域
AC-DC
USB供电-USB PD适配器和充电器
电源
计算和数据存储
型号
品牌
封装
数量
描述
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GS-065-030-6-LL-MR 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管,具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。电话咨询:86-755-83294757
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