IQE220N15NM5属于 Source-Down 系列,RDS(on) 为 22 mOhm。Source-Down 技术采用翻转硅芯片,在元件内部倒置。
它提高了散热能力,改善了功率密度和布局可能性。新技术有标准栅极和中心栅极(针对并行化进行了优化)两种不同的基底面。
潜在应用(IQE220N15NM5)
驱动
SMPS
服务器
电信
电池管理
IQE220N15NM5器件参数:
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :1400 pF @ 75 V
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TTFN-9-3
封装/外壳: 9-PowerTDFN
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK TSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
INFINEON
PG-HDSOP-22
1000
600 V CoolMOS™ S7T SJ MOSFET,集成温度传感器,采用 Q-DPAK BSC (PG-HDSOP-22)
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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GS-065-030-6-LT-TR 700V CoolGaN™功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管,具有大电流、高电压击穿和高开关频率特性。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。GS-065-030-6-LT-MR
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GS-065-018-2-L-MR是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。采用 8x8 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管,可实现现代 USB-C 适配器和充电器或服务器和数据中心应用所需的理想功耗。GS-065-011-2-L-TR
GS-065-011-2-L-TR是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管,具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。电话咨询:86-755-83294757
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