采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装的第 5 代 CoolSiC™ 肖特基二极管 IDYH10G200C5 (2000 V, 10 A) 在高达 1500 VDC 的高直流链路系统中实现了更高的效率和设计简化。新型 TO-247PLUS-4 HCC 封装具有 14 mm 的扩展爬电距离和 5.4 mm 的间隙距离,可在恶劣环境中提供更高的安全性。
得益于 .XT 互联技术,该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。 该二极管与配套的 CoolSiC™ MOSFET 2000 V 产品组合完美匹配。
特征
VRRM = 2000 V
IF = 10 A
VF = 1.5 V
无反向恢复电流
无正向恢复
高浪涌电流能力
开关行为不受温度影响
低正向电压
严格的正向电压分布
规定的 dv/dt 强度
.XT 互连技术
潜在应用
组串三相逆变器
电动汽车充电
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飞凌的 N沟道功率MOSFET,属于 CoolMOS™ CP系列,采用 TO-220FP(PG-TO-220-FP)封装,适用于高效率电源转换、工业电力系统及汽车电子等应用。IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飞凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N沟道功率MOSFET,采用 TO-220AB封装,适用于高电流开关、电源转换及电机驱动等应用。BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ 3系列,采用 TDSON-8封装(3.33.3mm),适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET,采用 TDSON-8封装,属于 OptiMOS™ 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关,采用PG-DSO-20封装,专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询:86-755-83294757
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