英飞凌 AIMDQ75R140M1H CoolSiC™ MOSFET 750 V 是一款高度坚固的 SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。
CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET可帮助电动汽车制造商构建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW双向车载充电器。这些器件在高温(Tjmax +175°C)下可靠工作,采用英飞凌专有技术。XT芯片连接技术,可实现同类芯片尺寸中最佳的热阻。
CoolSiC 750V G1技术具有极高的稳健性,特别是在宇宙辐射下,因此非常适合用于超过500V的总线电压。由于具有出色的杂散导通抗扰性,这些器件可以在零伏VGS 离级电压(单极栅极驱动器)下安全驱动,从而降低系统复杂性、PCB面积占用和BOM数量。宽栅极-源极额定电压(-5V至23V,VGS 静态)可确保与双极驱动兼容,提高设计灵活性。
特征
高度坚固的 750 V 技术
同类最佳的 RDS(on) x Qfr
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
同时具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能
100% 经过雪崩测试
.XT 互连技术,具有同类最佳的散热性能
尖端的顶部冷却封装
优势
卓越的硬开关效率
实现更高的开关频率
可靠性更高
可承受超过 500 V 的总线电压
对寄生匝的稳健性
单极驱动
同类最佳的热耗散
应用
固态继电器 (SSR)
电动汽车车载电池充电器
电动汽车高压 DC-DC 转换器
高压电子压缩机
高压 PTC 加热器模块
型号
品牌
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