DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些1200V功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。
DMWSH120H90SM3的规格:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):97.5 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):50.9 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1090 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):246W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
封装/外壳:TO-247-3
型号
品牌
封装
数量
描述
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DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A单N沟道碳化硅功率MOSFET,设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些1200V功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。DMWSH120H43SM3的规…DMWSH120H90SM3Q
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