DMWSH120H90SM4 - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：DMWSH120H90SM4

商品名称：碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌：Diodes

年份：24+

封装：TO-247-4

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Diodes

型号

DMWSH120H90SM4

封装

TO-247-4

描述

1200V N沟道碳化硅功率MOSFET TO-247-4

产品描述

DMWSH120H90SM4是一款1200V N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装。该款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。

DMWSH120H90SM4的规格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：6.4 ns

Id-连续漏极电流：40 A

最大工作温度：+ 175°C

最小工作温度：- 55°C

安装风格：Through Hole

通道数量：1 Channel

封装 / 箱体：TO-247-4

封装：Tube

Pd-功率耗散：235 W

产品类型：SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷：51.1 nC

Rds On-漏源导通电阻：97.5 mOhms

上升时间：21.3 ns

工厂包装数量：30

子类别：Transistors

技术：SiC

晶体管极性：N-Channel

典型关闭延迟时间：17.4 ns

典型接通延迟时间：9.1 ns

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压：- 4 V, + 15 V

Vgs th-栅源极阈值电压：3.5 V

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。