商品名称:同步动态随机存取存储器
品牌:Alliance
年份:24+
封装:FBGA-96
货期:全新原装
库存数量:3000 件
AS4C128M16D3LC-12BCNTR - 128M x 16 位 DDR3L 同步 DRAM (SDRAM) 存储器 IC
AS4C128M16D3LC-12BCNTR - 产品描述:
AS4C128M16D3LC-12BCNTR 是 2Gbit 高速双数据率-3L(DDR3L)同步动态随机存取存储器,它采用双数据率架构以实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。2Gb 芯片被组织成 16Mbit x 16 I/Os x8 组器件。这些同步器件可实现高达 1600 Mb/秒/引脚的高速双数据率传输速率,适用于一般应用。
AS4C128M16D3LC-12BCNTR - 产品属性:
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3L
存储容量:2Gbit
存储器组织:128M x 16
存储器接口:并联
时钟频率:800 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:96-VFBGA
供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13)
型号
品牌
封装
数量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA(10x14.5)
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
Alliance Memory 是一家生产传统和新技术存储器产品的全球化无晶圆厂制造商,其产品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 产品。他们的产品组合包括与主流数字信号处理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS4C512M32MD4V-046BIN
AS4C512M32MD4V-046BIN 是 8Gb 512M x 32 位 DRAM LPDDR4X 内存。AS4C512M32MD4V-046BIN 的特点双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输双向数据选通(DQS_t、DQS_c),与数据一起发送/接收,用于接收器捕获数据差分时钟输入(CK_t 和 CK_c)差分数据选通(DQS_t 和 DQ…AS4C512M16MD4V-053BIN
AS4C512M16MD4V-053BIN 是 8Gb 512M x 16 位 DRAM LPDDR4X 内存。AS4C512M16MD4V-053BIN 的特点双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输双向数据选通(DQS_t、DQS_c),与数据一起发送/接收,用于接收器捕获数据差分时钟输入(CK_t 和 CK_c)差分数据选通(DQS_t 和 DQ…AS4C512M16D3LC-10BIN
AS4C512M16D3LC-10BIN 8Gb(双芯片)双数据速率-3L DRAM 采用双数据速率架构,可实现高速运行。其内部配置为八组 DRAM。AS4C512M16D3LC-10BIN 的特点使用两个 4Gb x8 芯片组成一个 x16 封装--单排双芯片符合 JEDEC 标准电源: VDD 和 VDDQ = +1.35V向后兼容 VDD 和 VDDQ …AS4C512M16D4-75BIN
AS4C512M16D4-75BIN 是一种高速动态随机存取存储器,内部结构为 16 块。SpecificationsOf AS4C512M16D4-75BIN内存大小:64 Mbit 数据总线宽度:16 位 最大时钟频率:166 MHz 封装/外壳:TSOPII-54 组织结构 4 M x 16 访问时间:5 毫微秒 电源电压 - 最低 3 V 电源电压 - …AS4C256M16D3LC-12BCN
AS4C256M16D3LC-12BCN 4Gb 双数据速率-3 (DDR3L) DRAM 采用双数据速率架构,可实现高速运行。其内部配置为八组 DRAM。AS4C256M16D3LC-12BCN 的规格内存大小:4 Gbit 数据总线宽度:16 位 最大时钟频率:800 MHz 封装/外壳 FBGA-96 组织结构:256 M x 16 存取时间:20 毫微…AS4C4M16SA-6TAN
AS4C4M16SA-6TAN - 64M(4M x 16 位)同步 DRAM(SDRAM)存储器 ICAS4C4M16SA-6TAN - 产品描述:AS4C4M16SA-6TAN 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,容量为 64 Mbits。它内部配置为 4 组 1M 字 x 16 DRAM,具有同步接口(所有信号均在时钟信号 CLK 的正边沿注册)。SDRAM 的可编…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: