CGH40006S 是一款6W 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40006在28V的电压下工作;提供了一个通用的;各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT提供高效率;高增益和宽带宽能力;使CGH40006成为线性和压缩放大器电路的理想之选。
规格
晶体管类型:HEMT
技术:GaN
工作频率:2 GHz to 6 GHz
增益:13 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:120 V
Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流:750 mA
输出功率:6.9 W
最大漏极/栅极电压:-
最小工作温度:- 40°C
最大工作温度:+ 150°C
Pd-功率耗散:-
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-6
应用:-
配置:Single
开发套件:CGH40006S-KIT
高度:1 mm
长度:3.15 mm
湿度敏感性:Yes
产品:GaN HEMTs
产品类型:RF JFET Transistors
典型关闭延迟时间:-
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V
宽度:3.15 mm
单位重量:2.898 g
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描述
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MACOM 总部位于马萨诸塞州洛厄尔,在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。 MACOM通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。 MACOM 在北美、欧洲和亚洲的多个设计中心、Si、GaAs 和 InP 制造、制造、组装和测试以及运营设施拥有超过 65 年的应用专业知…
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