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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:CGH40006S

商品名称:GaN HEMT

品牌:MACOM

年份:24+

封装:QFN-6

货期:全新原装

库存数量:3000

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公司名称:

技术参数

制造商
MACOM
型号
CGH40006S
封装
QFN-6
描述
射频晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 W

产品描述

CGH40006S 是一款6W 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40006在28V的电压下工作;提供了一个通用的;各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT提供高效率;高增益和宽带宽能力;使CGH40006成为线性和压缩放大器电路的理想之选。


规格

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

工作频率:2 GHz to 6 GHz

增益:13 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:750 mA

输出功率:6.9 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40°C

最大工作温度:+ 150°C

Pd-功率耗散:-

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:QFN-6

应用:-

配置:Single

开发套件:CGH40006S-KIT

高度:1 mm

长度:3.15 mm

湿度敏感性:Yes

产品:GaN HEMTs

产品类型:RF JFET Transistors

典型关闭延迟时间:-

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

宽度:3.15 mm

单位重量:2.898 g


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常见问题

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MACOM

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MACOM 总部位于马萨诸塞州洛厄尔,在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。 MACOM通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。 MACOM 在北美、欧洲和亚洲的多个设计中心、Si、GaAs 和 InP 制造、制造、组装和测试以及运营设施拥有超过 65 年的应用专业知…

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