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CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4mmx 6.5mm。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。

CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；该晶体管非常适合于A/B类等高效拓扑中平均功率为10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。

规格

晶体管类型：HEMT

技术：GaN

工作频率：2.7 GHz

增益：18.5 dB

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：150 V

Vgs-栅源极击穿电压 ：- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流：6.3 A

输出功率：60 W

最大漏极/栅极电压：-

Pd-功率耗散：-

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：QSOP-20

应用：-

类：-

配置：Single

正向跨导 - 最小值：-

闸/源截止电压：-

湿度敏感性：Yes

NF—噪声系数：-

工作温度范围：- 40°C to +90°C

P1dB - 压缩点：-

产品类型：RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻：-

Vgs th-栅源极阈值电压：- 3 V

单位重量：241.200 mg

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