CGHV27060MP - GaN HEMT – 氮化镓晶体管 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：CGHV27060MP

商品名称：GaN HEMT

品牌：MACOM

年份：24+

封装：QSOP-20

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

MACOM

型号

CGHV27060MP

封装

QSOP-20

描述

60 W; DC至2700MHz; 50 V; 面向LTE和脉冲雷达应用的GaN HEMT

产品描述

CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4mmx 6.5mm。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。

CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；该晶体管非常适合于A/B类等高效拓扑中平均功率为10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。

规格

晶体管类型：HEMT

技术：GaN

工作频率：2.7 GHz

增益：18.5 dB

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：150 V

Vgs-栅源极击穿电压：- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流：6.3 A

输出功率：60 W

最大漏极/栅极电压：-

Pd-功率耗散：-

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：QSOP-20

应用：-

类：-

配置：Single

正向跨导 - 最小值：-

闸/源截止电压：-

湿度敏感性：Yes

NF—噪声系数：-

工作温度范围：- 40°C to +90°C

P1dB - 压缩点：-

产品类型：RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻：-

Vgs th-栅源极阈值电压：- 3 V

单位重量：241.200 mg

常见问题

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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

MACOM

MACOM 总部位于马萨诸塞州洛厄尔，在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。 MACOM通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。 MACOM 在北美、欧洲和亚洲的多个设计中心、Si、GaAs 和 InP 制造、制造、组装和测试以及运营设施拥有超过 65 年的应用专业知…