KTDM2G3C818BGCEAT 这款2Gb DDR3(L) SDRAM由256 M x 8位组成,是一款1866Mbps组件,采用78引脚FBGA封装。它提供商用温度等级应用。该器件广泛兼容,可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。
参数
类型::SDRAM - DDR3L
存储容量::2 Gbit
数据总线宽度::8 bit
最大时钟频率::933 MHz
封装 / 箱体::FBGA-78
组织::256 M x 8
电源电压-最小::1.283 V
电源电压-最大::1.575 V
最小工作温度::0°C
最大工作温度::+ 85°C
型号
品牌
封装
数量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA(10x14.5)
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SMARTsemi生产专为嵌入式应用设计的工业和商业级内存组件。他们的半导体业务支持晶圆加工、测试、老化、内存组件组装、标记和封装,每年为国际一级客户制造超过1.5亿个内存设备。
KTM8GL1ASI01
SMARTsemi KTM8GL1ASI01 8GB eMMC 5.1嵌入式闪存驱动器将大容量MLC NAND闪存与高速多媒体卡(MMC)控制器相结合。eMMC装在一个单一的包装中。这些器件广泛用于消费电子、网络、通信和工业应用。规格存储容量:8 GB顺序读取:245 MB/s顺序写入:115 MB/s接口类型:eMMC 5.…KTM4GH1AHI01
SMARTsemi KTM4GH1AHI01 4GB eMMC 5.1嵌入式闪存驱动器将高容量NAND闪存与高速多媒体卡(MMC)控制器相结合。eMMC装在一个单一的包装中。这些器件广泛用于消费电子、网络、工业和汽车应用。规格存储容量:4 GB配置:MLC顺序读取:170 MB/s顺序写入:10 MB/s接口类型:eMMC …KTDM2G3C818BGIEAT
KTDM2G3C818BGIEAT 2Gb DDR3(L) SDRAM由256 M x 8位组成,是一款1866Mbps组件,采用78引脚FBGA封装。它提供工业温度等级应用。该器件广泛兼容,可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。参数类型::SDRAM - DDR3L存储容量::2 Gbit数据总线宽度::8 bit最大时钟频率::933 M…KTDM2G3C618BGCEAT
KTDM2G3C618BGCEAT 这款2Gb DDR3(L) SDRAM采用128 M x 16位结构,是一款1866Mbps组件,采用96引脚FBGA封装。它提供商用温度级应用。该器件广泛兼容,可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。参数类型:SDRAM - DDR3L存储容量:2 Gbit数据总线宽度:16 bit最大时钟频率:933…KTDM2G3C618BGIEAT
KTDM2G3C618BGIEAT 2Gb DDR3(L) SDRAM采用128 M x 16位结构,是一款1866Mbps组件,采用96引脚FBGA封装。它提供工业温度级应用。该器件广泛兼容,可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。参数类型:SDRAM - DDR3L存储容量:2 Gbit数据总线宽度:16 bit最大时钟频率:933 MHz…KTDM4G3C818BGIEAT
KTDM4G3C818BGIEAT 4Gb DDR3(L) SDRAM采用512M x 8位结构,是一款1866Mbps组件,采用78引脚FBGA封装。它提供工业温度等级应用。该器件广泛兼容,可替代嵌入式应用中使用的DDR SDRAMs。参数类型:SDRAM - DDR3L存储容量:4 Gbit数据总线宽度:8 bit最大时钟频率:933 MHz封…电话咨询:86-755-83294757
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