RA81F5701GAVG是瑞萨电子推出的第二代毫米波上/下变频器。它针对 n257/n258/n261 频段的 5G 波束成形应用进行了优化,并在射频性能和功能方面进行了多项升级。该器件采用带低端本地振荡器(LO)注入的实IF外差架构,将2.5GHz至6GHz的IF信号转换到5G NR FR-2频段,频谱跨度为24.25GHz至29.5GHz。该器件的两个连续片上 LO 倍频器可产生 2 倍或 4 倍的净倍增因子,从而降低了外部 LO 馈电要求。所有射频、中频和 LO 端口均采用 50Ω 单端阻抗,便于集成到信号路径中。
F5701 通过先进的高速 SPI 协议进行控制,采用 4.0 × 4.5 毫米、49-BGA 封装。其额定工作温度范围为 -40°C 至 95°C。
特性
射频范围:24.25GHz 至 29.5GHz
中频范围:2.5GHz 至 6GHz
两个集成 LO 倍频器
利用 DAPTM 技术扩展发射机输出功率
增强的 LO 漏泄和图像抑制校准功能
工作温度 (TA) 范围:-40°C 至 +95°C
4.0 × 4.5 毫米,49-BGA 封装
应用
5G 基础设施/FWA
型号
品牌
封装
数量
描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
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R7FA2A2BD3CFM是一款低功耗微控制器,结合了 48MHz Arm Cortex-M23 内核和丰富的外设功能。电话咨询:86-755-83294757
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