IKZA40N65RH5XKSA1 IGBT是一款高速器件,设计具有终极效率,适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术,集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。
特性
● 采用高速H5技术,具有如下优势:
● 超低损耗开关
● 硬开关和谐振拓扑中的出色效率
● 支持对上一代IGBT进行即插即用型更换
● 650V击穿电压
● 低栅极电荷
● 最高结温:175°C
● 按照JEDEC标准符合目标应用要求
● 引脚无铅电镀
● 符合RoHS指令
应用
● UPS
● 焊接变流器
● 太阳能电池组列逆变器
● 中高频开关变频器
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
RGS50TSX2DGC11
RGS50TSX2DGC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。特性● 短路耐受时间:10μs● 内置FRD快速软恢复二极管● 集电极-发射极电压 (V…RGWX5TS65HRC11
RGWX5TS65HRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关…RGW00TS65DHRC11
RGW00TS65DHRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关● …RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。产品属性IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电…RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和2μs短路耐受时间等特性。 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。产品属性IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最…RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。这些器件采用原始沟槽栅极和薄晶圆技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: