IGT60R190D1SATMA1 - GaN HEMT – 氮化镓晶体管 - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：IGT60R190D1SATMA1

商品名称：IGT60R190D1SATMA1

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-HSOF-8

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

IGT60R190D1SATMA1

封装

PG-HSOF-8

描述

表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A（Tc） 55，5W（Tc） PG-HSOF-8-3

产品描述

IGT60R190D1SATMA1-CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术，设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。

产品属性

产品种类: MOSFET

技术: GaN

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HSOF-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 12.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV

Qg-栅极电荷: 3.2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 55.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolGaN

配置: Single

下降时间: 12 ns

产品: CoolGaN

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

单位重量: 745 mg

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。