NVJD4152PT1G是一款带ESD防护，20V，260 mΩ，2个P沟道，适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET，该产品采用SC-88封装。
产品属性
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 个 P 沟道
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：880mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 880mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：155pF @ 20V
功率 - 最大值：272mW（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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