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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:STH10N80K5-2AG

商品名称:STH10N80K5-2AG

品牌:ST

年份:23+

封装:H2Pak-2

货期:全新原装

库存数量:3000

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技术参数

制造商
ST
型号
STH10N80K5-2AG
封装
H2Pak-2
描述
表面贴装型 N 通道 800 V 8A(Tc) 121W(Tc) H2Pak-2

产品描述

STH10N80K5-2AG 超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDMESH K5技术设计而成,适用于需要出色功率密度和高效率的应用。该器件导通电阻显著降低,栅极电荷极低。


产品属性

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):680 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):17.3 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):426 pF @ 100 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):121W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:H2Pak-2

封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB


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常见问题

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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