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SCT040H65G3AG 器件是650V，30A 汽车级碳化硅功率MOSFET采用意法半导体先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发的。该器件在整个温度范围内具有非常低的RDS(on)，结合低电容和非常高的开关操作，从而提高了频率，能效，系统尺寸和重量减轻方面的应用性能。

规格

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 20A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39.5 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+18V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：920 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：221W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：H2PAK-7

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

基本产品编号：SCT040

应用

•主逆变器(电力牵引)

•用于EV/HEV的DC/DC转换器

•车载充电器(OBC)

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