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NTBL023N065M3S器件是一款碳化硅（SiC）MOSFET，设计用于快速开关应用，提供可靠的性能‌‌。NTBL023N065M3S 在 VGS = 18V 时具有 23mΩ 的典型 RDS（on）、超低栅极电荷 （QG（tot） = 69nC） 和低电容的高速开关 （Coss = 152pF）。NTBL023N065M3S SiC MOSFET 非常适合开关模式电源 （SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源 （UPS）、储能系统和基础设施等应用，为现代电源管理需求提供强大的性能。

技术参数

封装 / 箱体：H-PSOF-8

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：77 A

Rds On-漏源导通电阻：32.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：69 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：312 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：9.6 ns

封装：Reel

封装：Cut Tape

产品：SiC MOSFETS

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：15 ns

系列：NTBL023N065M3S

晶体管类型：1 N-Channel

典型关闭延迟时间：35 ns

典型接通延迟时间：11 ns

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