商品名称：NTTFD9D0N06HLTWG
数据手册：
NTTFD9D0N06HLTWG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：12-WQFN
货期：全新原装
库存数量：1000 件
NTTFD9D0N06HLTWG采用双封装，包含两个专用 N 沟道 MOSFET。开关节点采用内部连接，以使同步降压转换器的安置和布线更为简便。控制 MOSFET（Q2）和同步 MOSFET（Q1）的设计可提供最佳的功率效率。
产品属性
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），38A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：948pF @ 30V
功率 - 最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：12-PowerWQFN
供应商器件封装：12-WQFN（3.3x3.3）
应用
● 计算
● 通信
● 通用负载点
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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