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产品分类

光纤模块

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:PSMNR90-40YLHX

商品名称:PSMNR90-40YLHX

数据手册:PSMNR90-40YLHX.pdf

品牌:Nexperia

年份:23+

封装:LFPAK56

货期:全新原装

库存数量:2000

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公司名称:

技术参数

制造商
Nexperia
型号
PSMNR90-40YLHX
封装
LFPAK56
描述
N 沟道 40 V 300A (Ta) 333W (Ta) 表面贴装 LFPAK56

产品描述

PSMNR90-40YLHX 300 安培、逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET,采用 175 °C LFPAK56E 封装,采用先进的 TrenchMOS 超结技术。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过了认证。


特性和优势

300 A 连续负载(最大值)

雪崩额定值,100% 通过测试

NextPower-S3 技术提供 "软体二极管恢复 "的超快开关功能

低 QRR、Qc 和 Qco,实现高系统效率和低 EMI 设计

Schottky-Plus 体二极管提供软开关,而不会产生相关的高漏损

强大的线性模式 1 SOA 额定值

针对 4.5 V 栅极驱动进行了优化,采用 NextPower S3 超结技术

高可靠性 LFPAK(功率 SO8)封装,采用铜夹和焊接芯片连接,耐温高达 175 °C

外露引线可采用波峰焊接、可视焊点检测和高质量焊点,以确保最终可靠性

寄生电感和电阻低


应用

高性能同步整流

直流至直流转换器

高性能、高效率服务器电源

无刷直流电机控制

电池保护

负载开关和电子保险丝


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型号

品牌

封装

数量

描述

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NTMFS5C460NLT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

Nexperia

Nexperia

安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…

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