商品名称:PSMNR55-40SSHJ
数据手册:PSMNR55-40SSHJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封装:LFPAK88
货期:全新原装
库存数量:2000 件
PSMNR55-40SSHJ 500 安培连续电流、标准级栅极驱动、N 沟道增强模式 MOSFET,采用 LFPAK88 封装。NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的 "SchottkyPlus "技术,具有高能效和低尖峰性能,这些性能通常与集成了肖特基二极管或肖特基类二极管的 MOSFET 有关,但不会产生高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率下的高能效应用,以及高负载电流下安全可靠的开关。
特点和优势
500 安培连续电流能力
LFPAK88(8 x 8 毫米)LFPAK 式低应力裸露引线框架,具有极高的可靠性、最佳的焊接效果和易于焊点检查的特点
铜夹和焊模连接实现了低封装电感和电阻以及高负载(最大)额定值
是 D2PAK 和 10 x 12 mm 无引线封装类型的理想替代品
耐温高达 175 °C
符合 UL 2595 爬电和间隙要求
雪崩额定值,100 % 经过测试
低 QG、QGD 和 Qoss,实现高效率,尤其是在开关频率较高时
具有软体二极管恢复功能的超快开关,可降低尖峰和振铃,建议用于低 EMI 设计
独特的 "SchottkyPlus "技术可实现类似 Scohotly 的开关性能和低损耗泄漏
窄额定 VGs(th),便于并联和改进电流分担
极强的线性模式 1 安全工作区特性,可在大电流条件下安全可靠地进行开关操作
应用
无刷直流电机控制
大功率交流-直流应用中的同步整流器,如服务器电源
电池保护和电池管理系统 (BMS)
电子保险丝和负载开关
热插拔 1 同轴电流管理
型号
品牌
封装
数量
描述
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二极管用于超高性能、低损耗、高效率的功率转换应用。该 SiC 肖特基二极管封装在 TO-263-2 通孔功率塑料封装中,具有不受温度影响的电容关断、零恢复开关特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特点零正向和反向恢复降低系统成本与温度无关的快速平稳开关…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二极管用于超高性能、低损耗、高效率的功率转换应用。该 SiC 肖特基二极管封装在 TO-247-2 通孔功率塑料封装中,具有不受温度影响的电容关断、零恢复开关特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特点零正向和反向恢复降低系统成本与温度无关的快速平稳开关…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒装封装,具有低电感、低开关损耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的规格:FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):58.5A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212封装。该器件采用无引线接合,可优化散热和电气性能,提供共源共栅配置,无需复杂的驱动器和控制。GAN039-650NBBHP的规格:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电…GANB4R8-040CBAZ
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