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产品分类

光纤模块

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:PSMN9R3-60HSX

商品名称:PSMN9R3-60HSX

数据手册:PSMN9R3-60HSX.pdf

品牌:Nexperia

年份:23+

封装:LFPAK56D

货期:全新原装

库存数量:1000

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技术参数

制造商
Nexperia
型号
PSMN9R3-60HSX
封装
LFPAK56D
描述
MOSFET - 阵列 60V 40A(Ta) 68W(Ta) 表面贴装型 LFPAK56D

产品描述

PSMN9R3-60HSX N沟道MOSFET是一款双标准电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双电源SO8)封装。Nexperia MOSFET采用 TrenchMOS技术。该器件达到重复雪崩等级,可耐受175°C温度。


产品属性

技术:MOSFET(金属氧化物)

配置:2 N-通道(双)

漏源电压(Vdss):60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.3 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):34.2nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2348pF @ 25V

功率 - 最大值:68W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56

供应商器件封装:LFPAK56D


应用

● 无刷直流电机控制

● 直流-直流转换器

● 高性能同步整流

● 高性能、高效率服务器电源

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型号

品牌

封装

数量

描述

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

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NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

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NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

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NTMFS5C460NLT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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Nexperia

Nexperia

安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…

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