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PSMN8R0-40HLX N沟道MOSFET是一款双逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。该MOSFET采用 TrenchMOS技术。该器件达到重复雪崩等级，可耐受175°C温度。

产品属性

技术：MOSFET（金属氧化物）

配置：2 N-通道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.4 毫欧 @ 10A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15.7nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2110pF @ 25V

功率 - 最大值：53W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56

供应商器件封装：LFPAK56D

应用

● 无刷直流电机控制

● 直流-直流转换器

● 高性能同步整流

● 高效服务器电源

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。