商品名称:PSMN013-60HSX
数据手册:PSMN013-60HSX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封装:LFPAK56D
货期:全新原装
库存数量:1000 件
PSMN013-60HSX N沟道MOSFET是一款双逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双电源SO8)封装。Nexperia MOSFET采用TrenchMOS技术。这些器件达到重复雪崩等级,可耐受 175°C温度。
产品属性
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):30.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2163pF @ 25V
功率 - 最大值:64W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56
供应商器件封装:LFPAK56D
应用
● 无刷直流电机控制
● 直流-直流转换器
● 高性能同步整流
● 高性能、高效率服务器电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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