GAN063-650WSAQ - GaN FET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：GAN063-650WSAQ

商品名称：GAN063-650WSAQ

数据手册：GAN063-650WSAQ.pdf

品牌：Nexperia

年份：23+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Nexperia

型号

GAN063-650WSAQ

封装

TO-247-3

描述

通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3

产品描述

GAN063-650WSAQ 650V氮化镓 (GaN) FET是一款常关型器件，结合了Nexperia的最新高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。该器件具有卓越的可靠性和性能，非常适合用于无桥推拉输出电路PFC、伺服电机驱动器和UPS逆变器。

规格

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：143W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

封装/外壳：TO-247-3

基本产品编号：GAN063

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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