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产品说明:600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测功能
封装:54-VQFN产品说明:100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET,带集成驱动器和保护功能
封装:VQFN-17产品说明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:OM−780−4S4S产品说明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:OM- 780- 4S4S产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5产品说明:150 V、7 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陆栅阵列 (LGA) 封装
封装:FCLGA-3产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、80 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:100 V、3.2 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
封装:WLCSP-8电话咨询:86-755-83294757
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