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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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操作

LMG2640RRGR
TI

产品说明:650V 105mΩ 氮化镓半桥驱动器,集成驱动、保护和电流检测功能

封装:VQFN-40
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3614REQR
TI

产品说明:650V 170mΩ 氮化镓场效应晶体管,内置驱动器和保护功能

封装:VQFN-38
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3526R030RQSR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN-52
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN-54
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

产品说明:100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级

封装:18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

产品说明:具有集成驱动器的 100V 4.4mΩ GaN FET

封装:15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

封装:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212

封装:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)

封装:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN

封装:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

产品说明:650V 170mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和电流检测功能

封装:VQFN-38
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

产品说明:600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测功能

封装:54-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

产品说明:100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET,带集成驱动器和保护功能

封装:WQFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

产品说明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:OM−780−4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

产品说明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管

封装:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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