商品名称：STL120N10F8
数据手册：
STL120N10F8.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：8-PowerVDFN
货期：全新原装
库存数量：1000 件
STL120N10F8 N-沟道增强模式标准级100V，最高4.6mohm，125A STripFET F8功率MOSFET（采用PowerFLAT 5x6封装）。
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
它能确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
规格
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT 5x6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 125 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 17 ns
上升时间: 16 ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 76 mg
应用
开关应用
型号
品牌
封装
数量
描述
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