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GAN190-650FBEZ是一款通用型 650 V、190 mΩ 氮化镓 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 表面贴装封装。它是一款常关型电子模式器件，具有卓越的性能。

产品属性

制造商:Nexperia

产品种类: MOSFET

技术: GaN

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN5060-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 11.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 7 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 2.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 4 ns

湿度敏感性: Yes

上升时间: 4 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 1.7 ns

典型接通延迟时间:1.4 ns

应用

高功率密度和高效率电源转换

交流-直流转换器、图腾柱 PFC

直流-直流转换器

快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和 USB Type-C 充电器

数据通信和电信（AC-DC 和 DC-DC）转换器

电机驱动器

太阳能（光伏）逆变器

D 类音频放大器、电视 PSU 和 LED 驱动器

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