商品名称：NTMFD5C650NLT1G
数据手册：
NTMFD5C650NLT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封装：8-DFN
货期：全新原装
库存数量：2000 件
NTMFD5C650NLT1G 是一款 MOSFET - 功率、双 N 沟道 60 V、4.2 m、111 A 晶体管。
产品属性
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N 沟道（双通道）
漏极至源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：21A (Ta)，111A (Tc)
Rds On（最大）@ Id，Vgs：4.2mOhm @ 20A，10V
Vgs（th）（最大值）@ Id：2.2V @ 98µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：37nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds：2546pF @ 25V
功率 - 最大值：3.5W (Ta)，125W (Tc)
工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型：表面贴装
特点
小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计
低 RDS（导通），将传导损耗降至最低
低 QG 和电容，将驱动器损耗降至最低
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
NB3U1548CDTR2G
NB3U1548CDTR2G是一款 LVCMOS、耐过压时钟扇出缓冲器，适用于高性能电信、网络和计算应用中的时钟发生。
NCV7708FDWR2G
NCV7708FDWR2G是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR 图像传感器灵敏度极高，适用于各种汽车应用。它的有源阵列尺寸为 2048 x 1280，以每秒 60 帧的速度输出 1080p 画面。规格：部件状态：激活类型：CMOS像素尺寸：3 微米 x 3 微米有源像素阵列：2048H x 1280V每秒帧数：60封装/外壳：80-LBGA特性3.0…
SNXH160T120L2Q1PG
SNXH160T120L2Q1PG这款高密度集成电源模块结合了高性能 IGBT 和坚固耐用的反并联二极管。
NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…
NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
