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ISL95808 是一款具有低关断电流的高频双MOSFET驱动器，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑结构中驱动两个N沟道功率MOSFET。它特别适用于需要高效率和出色散热性能的移动计算应用。该驱动器与Intersil多相降压PWM控制器相结合，构成了一个完整的单级核心电压稳压器解决方案，适用于先进的移动微处理器。

ISL95808的下层栅极驱动器的典型灌注电流为4A。该电流能够在相位节点的上升沿期间保持下层MOSFET栅极关闭。这可防止相位电压的高dv/dt造成的击穿功率损失。该工作电压与移动计算机电源中常用的MOSFET的30V击穿电压相匹配。

产品属性

驱动配置 半桥  

通道类型 同步  

驱动器数 2  

栅极类型 N 沟道 MOSFET  

电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V  

逻辑电压 - VIL，VIH -  

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 2A，2A  

输入类型 非反相  

高压侧电压 - 最大值（自举） 33 V  

上升/下降时间（典型值） 8ns，8ns  

工作温度 -10°C ~ 125°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

封装/外壳 8-VFDFN 裸露焊盘  

供应商器件封装 8-DFN（2x2） 

应用

• 英特尔®和AMD™移动电源的核心电压供应 微处理器的核心电压电源

• 高频率、低轮廓的DC/DC转换器

• 大电流低输出电压DC/DC转换器

• 高输入电压DC/DC转换器

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