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电阻器网络

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操作

A2T21H410-24SR6
NXP

产品说明:28V N 沟道快速射频功率 LDMOS 晶体管

封装:CFM6F
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFT23H160-25SR3
NXP

产品说明:2300-2400 MHz,32 W,28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

封装:NI-880X-4L4S-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF300BN
NXP

产品说明:50V,LDMOS宽带射频功率晶体管,TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MRF300AN
NXP

产品说明:50V,LDMOS宽带射频功率晶体管,TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPD1035

产品说明:40 W, 50 V, DC – 6 GHz, GaN RF功率晶体管

封装:SMD
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G38H055NT4
NXP

产品说明:3700-3980 MHz、平均 7.6 W、48 V Airfast® 射频功率 GaN 晶体管

封装:DFN-6
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G35S004NT6
NXP

产品说明:3300-4300MHz,24.5dBm平均值,48V Airfast® GaN射频功率晶体管

封装:DFN-6
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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