QPD1035是一款40W(P3dB)SiC HEMT分立式GaN,采用50V供电轨,工作频率范围为DC至6 GHz。该器件具有输入预匹配功能,非常适合脉冲和CW操作的宽带放大器应用。
应用:
军用雷达
民用雷达
专业和军事无线电通信
测试仪器
宽带或窄带放大器
干扰机
QPD1035的规格:
工作频率:DC 至 6 GHz
Pd-功率耗散:50.4 W
安装风格:Flanged
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
商标:Qorvo
开发套件:QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V
增益:12.1 dB
最大漏极/栅极电压:145 V
输出功率:50 W
封装:Reel
封装:Cut Tape
产品类型:GaN FETs
系列:QPD1035
型号
品牌
封装
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描述
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